⑴ 国产封装IGBT模块有哪些型号规格参数
国产以IGBT、MOSFET为代表的功率器件则是组成逆变器不可或缺的半导体器件，市场对功率器件的需求也会随着太阳能、风能等分布式能源的发展而进一步放大。海飞乐技术封装IGBT模块按照电压等级来分：600VIGBT模块，900VIGBT模块，1200VIGBT模块，1700VIGBT模块，3300VIGBT模块。按照电路来分：IGBT单管、半桥电路IGBT模块、全桥电路IGBT模块、推挽电路IGBT模块、三相桥电路IGBT模块，三电平IGBT模块。海飞乐技术封装IGBT模块可替换以下型号：
BSM50GB60DLC
BSM75GB60DLC
BSM100GB60DLC
BSM150GB60DLC
BSM200GB60DLC
BSM300GB60DLC
FF200R06KE3
FF300R06KE3
FF400R06KE3
F4-100R06KL4
F4-150R06KL4
F4-200R06KL4
FS10R06XL4
FS15R06XL4
FS20R06XL4
FS30R06XL4
FS50R06YL4
FS75R06KL4
FS100R06KL4
FS150R06KL4
FS200R06KL4
BSM30GD60DLC
BSM50GD60DLC
BSM75GD60DLC
BSM100GD60DLC
BSM150GD60DLC
BSM200GD60DLC
FS10R06VE3
FS15R06VE3
FS20R06VE3_B2
FS30R06VE3
FS50R06KE3
FS75R06KE3
FS100R06KE3
FS150R06KE3
FS200R06KE3
FP10R06KL4
FP15R06KL4
FP20R06KL4
BSM10GP60
BSM15GP60
BSM20GP60
BSM30GP60
BSM50GP60
BSM50GP60G
BSM75GP60
BSM100GP60
FP10R06YE3
FP20R06YE3
FP30R06YE3
BSM200GA120DN2
BSM300GA120DN2
BSM400GA120DN2
FZ800R12KF4
FZ1200R12KF4
FZ1600R12KF4
FZ1800R12KF4
FZ2400R12KF4
BSM200GA120DLCS
BSM300GA120DLC
BSM400GA120DLC
BSM600GA120DLC
FZ800R12KL4C
FZ1200R12KL4C
FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KL4C
FZ2400R12KL4C
FZ400R12KS4
FZ600R12KS4
FZ800R12KS4_B2
FZ300R12KE3G
FZ400R12KE3
FZ600R12KE3
FZ800R12KE3
FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3
FZ2400R12KE3
FZ3600R12KE3
BSM50GB120DN2
BSM75GB120DN2
BSM100GB120DN2K
BSM100GB120DN2
BSM150GB120DN2
BSM200GB120DN2
FF400R12KF4
FF600R12KF4
FF800R12KF4
BSM50GB120DLC
BSM75GB120DLC
BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DLC
BSM150GB120DLC
BSM200GB120DLC
BSM300GB120DLC
FF400R12KL4C
FF600R12KL4C
FF800R12KL4C
FF150R12KE3G
FF200R12KE3
FF300R12KE3
FF400R12KE3
FF600R12KE3
FF800R12KE3
FF1200R12KE3
FF150R12KT3G
FF200R12KT3
FF300R12KT3
FF400R12KT3
F4-50R12KS4
F4-75R12KS4
F4-100R12KS4
F4-150R12KS4
F4-400R12KS4_B2
BSM15GD120DN2
BSM25GD120DN2
BSM35GD120DN2
BSM50GD120DN2
BSM75GD120DN2
BSM100GD120DN2
BSM25GD120DN2E3224
BSM35GD120DN2E3224
BSM50GD120DN2E3226
FS300R12KF4
FS400R12KF4
BSM15GD120DLCE3224
BSM25GD120DLCE3224
BSM35GD120DLCE3224
BSM50GD120DLC
BSM75GD120DLC
BSM100GD120DLC
FS75R12KS4
FS100R12KS4
FS25R12KE3G
FS35R12KE3G
FS50R12KE3
FS75R12KE3
FS100R12KE3
FS150R12KE3
FS225R12KE3
FS300R12KE3
FS450R12KE3
FS10R12YT3
FS15R12YT3
FS25R12KT3
FS35R12KT3
FS50R12KT3
FS75R12KT3
FS75R12KT3G
FS100R12KT3
FS150R12KT3
BSM10GP120
BSM15GP120
BSM25GP120
BSM35GP120
BSM35GP120G
BSM50GP120
FP15R12KS4C
FP25R12KS4C
FP35R12KS4CG
FP50R12KS4C
FP10R12KE3
FP15R12KE3
FP25R12KE3
FP40R12KE3
FP40R12KE3G
FP50R12KE3
FP75R12KE3
FP10R12YT3
FP15R12YT3
FP15R12KT3
FP25R12KT3
FP40R12KT3
FP50R12KT3
FP75R12KT3
BSM75GAR120DN2
BSM300GAR120DLC
BSM75GAL120DN2
BSM100GAL120DN2
BSM300GAL120DLC
FD200R12KE3
FD300R12KE3
BSM200GA170DN2
BSM300GA170DN2
BSM300GA170DN2S
FZ800R16KF4
FZ1200R16KF4
FZ1800R16KF4
BSM200GA170DLC
BSM300GA170DLC
BSM400GA170DLC
FZ800R17KF6C_B2
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ1800R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ400R17KE3
FZ600R17KE3
FZ1200R17KE3
FZ1600R17KE3
FZ2400R17KE3
FZ3600R17KE3
BSM50GB170DN2
BSM75GB170DN2
BSM100GB170DN2
BSM150GB170DN2
FF400R16KF4
FF600R16KF4
BSM100GB170DLC
BSM150GB170DLC
BSM200GB170DLC
FF400R17KF6C_B2
FF600R17KF6C_B2
FF800R17KF6C_B2
FF200R17KE3
FF300R17KE3
FF600R17KE3
FF800R17KE3
FF1200R17KE3
FS300R16KF4
BSM50GD170DL
BSM75GD170DL
FS75R17KE3
FS100R17KE3
FS150R17KE3
FS225R17KE3
FS300R17KE3
FS450R17KE3
FD400R16KF4
FD600R16KF4
FD401R17KF6C_B2
FD600R17KF6C_B2
FD800R17KF6C_B2
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
FZ800R33KL2C
FZ1200R33KL2C
FF200R33KF2C
FF400R33KF2C
FD400R33KF2C
FD400R33KF2C-K
FD800R33KF2C
FD800R33KF2C-K
FD800R33KL2C-K_B5
FZ200R65KF1
FZ400R65KF1
FZ600R65KF1
FD200R65KF1-K
FD400R65KF1-K
⑵ FZ600R12KS4型号的IGBT怎么测试
这个问题比较大！
看你关心什麼参数，应用在什麼地方。需要测试的很多。在此列举做的一些测试！
若要可靠应用最重要的还是重载下的温升测试，外壳平均温度及结温波动最大温度均不能超过Tjmax；其次还有一些相关的保护测试测试其响应是否够快，是否可以保护住IGBT，应用不能超多其SCSOA及RBSOA。例如过压保护，Vpeak测量，过流保护，短路保护，过温保护等。另外还需要考量IGBT的寿命主要体现在温度冲击对内部晶圆焊锡的物理形变，导致IGBT损坏。当然还有驱动方面的测试，你的驱动电源的能力是否够用，驱动电压波形是否良好，幅值是否过高（饱和电流过大）或过低（损耗增加）等。
具体可以参考下，FUJI，Infineon，MIT，semikron的应用手册上面有详细的介绍。
个人见解，不知道能不能帮到您！若有问题可以则时一起讨论！
⑶ 如何检测IGBT管FF300R12KS4的好坏
最简单的方法只用一个万用表就行
1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ） ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ） ，红表笔接 IGBT 的发时极 （ E ） ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ） ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ） ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。
3、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 （ P 一 MOSFET ）的好坏。
⑷ 模块ff300r12ks4与 ff300r17ke3模块有什么区别
严格来说不能直接代替，因为300A模块的驱动和保护点与200A模块不一样，300A需要的驱动电荷比200A的大，直接换上去后会导致开关损耗大而且开关速率慢有可能会导致短路保护电路误保护，最危险的是主回路的吸收电容能不能吸收掉300A
⑸ ff150r12ks4检测好坏
最简单的方法只用一个万用表就行。
1、判断极性首先将万用表拨在RXIK。挡，用万用表测量时，若棠一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量际值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C)：黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏将万用表拨在RX10KQ档，用黑表笔接TGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发时极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时工GBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在RXIOK挡，因RXIKQ档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使TGBT导通，而无法判ITGBT的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管(P一MOSFET》的好坏。
⑹ FF300R12KT4与FF300R12Ks4可否替换
应该是不可以替换的吧，因为它是两组不同的词语，所以说的话不能替换。
⑺ 哪位大侠帮忙提供英飞凌IGBT：FF200R33KF2C，FF400R33KF2C，FZ1200R33KF2C，FZ1500R33HE3 datasheet
你好,英飞凌IGBT 全系列现货 IKW50N60T
FF75R12RT4
FF100R12KS4 FF150R12KS4
FF200R12KS4 FF75R12RT4
UC3846N FGW40N120HD FGL40N120AND
IKW50N60T IKW50N60H3 IKW25N120T2/h3
IKW20N60T IKW30N60H3 SKW30N60HS
IKW40N120T2 IKW40N120H3 IKW40T120
IDP45E60 IDW75E60 IDW100E60
IHW20N120R2 IHW30N120R2
只有原装,只做原装
⑻ IGBT型号为：fz400r12ks4工作频率范围
这款型号，它的工作频率是在500赫兹到1000赫兹左右，他的一个工作电容量是达到了400伏
⑼ fz400r12ks4 电力半导体igbt模块 怎么判断好坏
用万用表测量一下IGBT的二极管是不是好的，二极管是好的话，IGBT单元就不会损坏，因为一般都是先烧二极管，再烧IGBT。