㈠ 陶瓷激光切割机的简介
陶瓷激光切割机一般用于瓷器类的雕刻、切割加工。
激光切割陶瓷由于具有非接触、柔性化、自动化及可实现精密切割和曲线切割、切缝窄、速度快等特点，同传统的切割方法如金刚石砂轮切割法相比，是一种有巨大应用价值和发展潜力的理想陶瓷加工方法。但是，陶瓷属硬、脆材料，热稳定性较差，切割时易形成重铸层和裂纹，降低了基体原有的优良性能。
现有的陶瓷无裂纹切割方法基本上采用(CO2或Nd:YAG)激光，在单脉冲能量不变的前提下，压缩脉宽至ns级，脉冲频率提高至10～20KHz级。其显著缺点是设备能力要求高，往往要求多道重复切割或预加工，实用切割效率低,随着切割速度的增加，熔渣从平面形态向有方向性的波纹形态转变；低速到高速切割时单个脉冲的叠加程度的降低，使熔渣从平面状态转变成为断续状态。切断方式也从气化和融化转化为附加部分热振而引起的断裂，部分热振引起的断裂。当切割速度相同时，复合高速气流断口的熔渣方向性更明显。同时高速气流具有比同轴气流更明显的去除渣层作用，促进了熔渣脱落，熔渣脱落后，亚层呈现的重铸层形貌,由于热振在切口深度方向形成的重铸层是一致的。
㈡ 陶瓷激光切割机的注意事项：
高速气流体现了对激光与陶瓷相互作用区一定的冷却作用，使激光与陶瓷互相作用产生的热量向基体内部的传导深度降低，从而使由于受热融化快速冷却而产生的重铸层厚度下降。当切割速度增大到一定值时，脉冲叠加程度下降，单位长度热作用时间降低，甚至部分依靠热振促成基体断裂；脉冲休止时间内，激光割嘴运动距离超过光斑直径，脉冲激光叠加作用消失，单个脉冲单独作用时，其温度梯度大，热传导时间短，从而使高速气流的冷却作用变得不明显。
在脉宽为0.3ms,复合作用超音速切割气流的前提下，平均功率是影响重铸层厚度的最主要因素，切割速度次之，脉冲频率再次。平均功率是决定单脉冲峰值能量的关键因素，峰值能量又是决定温度梯度即热传导深度的关键因素；脉冲频率的增加可以提高脉冲搭接程度，但并不一定引起热量累积和向切口两侧传导的当量增加；切割速度的提高本质上在于降低脉冲重叠导致的热量累积，直至达到单个脉冲所能切断的陶瓷厚度。所以选定合适平均功率，辅以切割速度及脉冲频率的匹配是获得较小重铸层厚度的先决条件。
㈢ 陶瓷激光打标机的常见问题
1,激光打标机使用一段时间以后，激光器激光输出功率下降的原因：
① 激光谐振腔是否变化：微调谐振腔镜片，使输出光斑最好；
② 全反及输出膜片是否有污损现象；
③ 声光晶体偏移或者声光电源输出能量偏低：调整声光晶体位置；
④ 冷却水箱水温设置与环境温度温差是否超过5℃；
⑤ 氪灯使用寿命是否到期；
⑥ 进入振镜的激光偏离中心：调节激光器；
⑦ 若电流调到20A左右仍感光强不够：氪灯老化，更换新灯。
2,激光打标机激光输出功率正常，但激光光束不能起到标刻作用：
① 光路系统调整是否准确；
② 声光开关是否能够起到开关作用；
③ D/A卡控制声光输出信号是否达到5V。
3 激光打标机声光开关不能起到开关激光作用的原因：
① 声光电源射频输出功率是否正常；
② 电源各开关是否都在正确位置；
③ 射频线连接是否可靠；
④ Q开关通光端面有无污损现象。
㈣ 激光切割机可以切割陶瓷吗
可以的，有专门切割陶瓷的 陶瓷激光切割机
陶瓷激光切割机一般用于瓷器类的雕刻、切割加工。具有非接触、柔性化、自动化及可实现精密切割和曲线切割、切缝窄、速度快等特点，同传统的切割方法如金刚石砂轮切割法相比，是一种有巨大应用价值和发展潜力的理想陶瓷加工方法。
陶瓷激光切割的多道切割法
多道切割法即采用激光多次扫描同一切割轨迹而达到去除材料的目的。一般先以较低功率激光多次扫描同一加工路径，以不断推进加工深度，至一定厚度后，转而以
高功率激光完成切割。该方法工艺最为简单，但可靠性差。优点在于每道切割时单位长度输入的能量小，可以降低热载荷，抑制裂纹产生与扩展。但是此法在提出之
际就已被明确指出这是一种牺牲加工时间和效率的切割方法，用该方法切割8.5mm的氧化铝陶瓷需要60或100次激光的重复扫描“走刀”实验发现激光扫描所产生的熔渣很难及时排除，往往因严重堆积造成切缝堵塞及残余热作用霍加。因此，该方法更适用于以气化切割机制为主的陶瓷。采用调Q的CO2激光及纳秒级脉宽抑制裂纹，以气化多道切割方式对Si3N4陶瓷进行无损切割研究，可以将微裂纹尺寸控制在晶粒尺寸的范围。
陶瓷激光切割机 -注意事项：
高速气流体现了对激光与陶瓷相互作用区一定的冷却作用，使激光与陶瓷互相作用产生的热量向基体内部的传导深度降低，从而使由于受热融化快速冷却而产生的
重铸层厚度下降。当切割速度增大到一定值时，脉冲叠加程度下降，单位长度热作用时间降低，甚至部分依靠热振促成基体断裂；脉冲休止时间内，激光割嘴运动距
离超过光斑直径，脉冲激光叠加作用消失，单个脉冲单独作用时，其温度梯度大，热传导时间短，从而使高速气流的冷却作用变得不明显。在脉宽为0.3ms,复合作用超音速切割气流的前提下，平均功率是影响重铸层厚度的最主要因素，切割速度次之，脉冲频率再次。平均功率是决定单脉冲峰值能
量的关键因素，峰值能量又是决定温度梯度即热传导深度的关键因素；脉冲频率的增加可以提高脉冲搭接程度，但并不一定引起热量累积和向切口两侧传导的当量增
加；切割速度的提高本质上在于降低脉冲重叠导致的热量累积，直至达到单个脉冲所能切断的陶瓷厚度。所以选定合适平均功率，辅以切割速度及脉冲频率的匹配是
获得较小重铸层厚度的先决条件。
其他建议：二氧化碳的切割面好些，YAG的切割面光洁度不够好
㈤ 陶瓷电容器有哪些优势
陶瓷电容器就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状
瓷谷电子的陶瓷电容一般都是圆形的蓝色本体，也有土黄色的让大家选择，另外我们还可以为顾客提供编带的陶瓷电容器，想更深入的了解，可以咨询我们网站上的客服
陶瓷电容分为高频瓷介和低频瓷介两种，具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定震荡回路中，作为回路电容器及整电容器
一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点
高压陶瓷电容近年来也受到人们的关注和重视，已经潜入到我们的生活里去，也成为市场上不可缺少的电子元器件
我们最常用的LED灯里面是一定有陶瓷电容的位置的
因为LED灯在开启过程中，接受到的是电压会有一个瞬间的脉冲电压，此时会有大电流产生，而一但电流泄漏过多的话，就有可能对人体造成伤害，一般而言，打高压是为了防止大流的产生时给产品造成的损害，另外一方面，也是为了检验产品的绝缘性能，验证绝缘性能有没有有效的发挥，灯具的防触电保护有没有正常工作，避免人体在接触时产生意外
所以高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位
选择瓷谷电子陶瓷电容的三大优势：1.进口设备高介电瓷粉进口设备压铸成型1000多度30多小时高温烧结而成附着高性能电离子银层
2.预热焊点多段波型高温预热点焊惠普的自动影像监测杜绝假焊.空焊.吃银3.100%全检智能机械精密质检每颗产品性能100%全检符合国际认证测试
㈥ 陶瓷紫外激光打标机厂家那个牌子好又稳定
陶瓷激光打标机加工可用紫外激光切割机，光束质量高，聚焦光斑小，能实现超精细标刻，高速度，适用范围广，低能耗，环保，无耗材，
㈦ 陶瓷激光打标机价格一般是多少
陶瓷激光打标的话通常用光纤激光打标机来打就可以了。
价格的话，开国产或者进口的都不一样的。国产会便宜一些。主要看你要打标打到什么需求。
㈧ 贴片电容都没有极性吗，贴片电容就只是单片陶瓷电容器吗
有极性也有非极性
贴片电容(单片陶瓷电容器)
是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
三 Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 10℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -56%
介质损耗 最大 4%
四 Y5V电容器
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值范围如下表所示
封 装 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- 85℃
温度特性 22% ---- -82%
介质损耗 最大 5%
贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同
㈨ 如何理解贴片陶瓷电容器的Q值 和ESR:
本公司除了提供性能卓越的射频RF 元器件外，还致力於为客户提供精确和完整的性3 y) i" F! z; B能资料。为了达到这个目标，这篇文章裏我们详细的讨论Q和ESR的测量方法和理解。2 _3 P9 K1 N+ P$ @$ M7 I理论上，一个“完美”的电容器应该表现为ESR为零欧姆、纯容抗性的无阻抗元件。不论$ H$ ~3 d6 d* l6 m/ B/ p何种频率，电流通过电容时都会比电压提前正好90度的相位。* d p& Z7 P, \" @) v8 m实际上，电容是不完美的，会或多或少存在一定值的ESR。一个特定电容的ESR随著频率# i% ]: R* z. w8 x的变化而变化，并且是有等式关系的。这是由於ESR的来源是导电电极结构的特性和绝缘介质1 F" E2 Y# y% }的结构特性。为了模型化分析，把ESR当成单个的串联寄生元。过去，所有的电容参数都是在2 @4 u5 G( b4 ^0 V% r- T1MHz的标准频率下测得，但当今是一个更高频的世界，1MHz的条件是远远不够的。一个性能/ y; V9 \) b; d" D/ u优秀的高频电容给出的典型参数值应该为：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；! d" r- e" [3 e) p" J$ d2000MHz，ESR＝0.13Ω。& n, m" v) s, [, N$ Q- w8 w: |Q值是一个无量纲数，数值上等於电容的电抗除以寄生电阻（ESR）。Q 值随频率变化而有5 H3 p) T- ^" Q3 W; r很大的变化，这是由於电抗和电阻都随著频率而变。频率或者容量的改变会使电抗有著非常大& f" p$ `0 y# }2 H" B# I% E5 ^9 y的变化，因此Q值也会跟著发生很大的变化。从公式一和二上可以体现出来：3 e3 N/ @, q+ w6 R公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)/ S6 n. _1 p: ]# @2 W7 g5 W其中，|Z|为电抗的绝对值，单位Ω；f为频率，单位Hz；C为容量，单位元F。! A+ n8 {4 r$ m3 R公式二：Q = |Z| / ESR9 Y2 f2 E0 O" S% }2 k4 r; T, D其中，Q代表“品质因素”，无量纲；|Z|为电抗的绝对值，单位Ω；ESR为等效串联电阻， L! _4 ~5 K7 R3 e% A; R单位Ω。+ X( @4 X/ ]& G! o$ E% u3 q用从向量网路分析器收集而得的S参数去推导ESR是不可信的。主要原因是这个资料的精3 [. t6 z. {8 `# ]度受限於网路分析器在50Ω系统中的精度（典型的± 0.05 dB测量精度在电容低到±0.01 dB. {8 F# T3 l0 C低损耗区是精度不足的）。同样，用LCR仪表去测量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。这是- R8 ]; s. E. p# R8 p( C! I由於当元件的Q 值非常高时，LCR 仪表不能正确地分辨出非常小的电阻（R）和非常大的电抗; L& a" s! @+ C（Z）。因此，高Q电容器的ESR和Q的测量方法，一般使用作为行业标准的谐振线路测试法。2 i0 l" v+ i9 ^; U" @ J2 |这种测试方法作为在射频RF上测量Q和ESR 的行业标准而长期存在。因为该方法依赖於. N8 |/ Q" o* }, j% r信号发生器的频率精确度（该频率可以非常精确的测量），所以该资料的采样方式是十分精确& U% `, D0 L j1 ^的。现代的电容ESR非常之小，以至於这个测量方法的精度也只能达到接近±10%。但不管如% u+ k& S8 q4 t4 Z* E8 X; r9 O e何，这仍然是目前最精确的在射频RF方面有效测量Q和ESR的方法。0 v" Q0 Y6 \8 X7 j, J( S+ y" E测试方式：8 t- ?: o/ f$ w" [ 频率发生器 电脑 毫伏表" Y* W) E. j( [: m9 v2 j" Y 同轴谐振器2 T6 x2 z) T) L9 Y F$ t$ I5 W! L- w2 Q5 s4 K如何理解贴片陶瓷电容器的介质强度8 h. J/ v: V# ]$ \7 { 介质强度表徵的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力，通常用伏特/密尔( p1 Y* u Q" Z. T3 g/ F0 l. i# F（V/mil）或伏特/釐米（V/cm）表示。" M. O- ` x, w! ]5 r当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场( S2 l! s G. J, P" H致电子发射，产生出足够多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突发击穿电流击穿介6 A$ o. r" Z9 f! t6 S C7 y# m质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的+ z7 J1 ~/ A& Y0 P0 O5 J8 Z; o电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足够长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产2 O: G* E4 c2 Z3 a. i1 C: B生漏电流。这种模式与温度密切相关，介质强度随温度提高而下降。
㈩ 怎么在陶瓷上快速打标陶瓷激光打标机
激光打标机核心部件全部为原装进口，如CO2射频激光器、高速扫描振镜、功能强大的控制打标软件等。该系列雕刻精度高、速度快、性能极其稳定，能够长时间连续工作。 打标机软件运行于WINDOWS平台，中文界面，能兼容AUTOCAD、CORELDRAW、PHOTOSHOP等多种软件的文件格式，如PLT、PCW、DXF、BMP等，同时也能直接使用SHX、TTF字库。 该设备为30W激光打标机，非常适合在一些产品打标，而且速度快，操作简单，性价比高。 该系列打标机能够在绝大多数非金属材料上高速雕刻、切割出精美的文字图案，广泛应用于眼镜、纽扣、电池、皮革、布料、陶瓷、玻璃、水晶、橡胶、电器、木竹制品等行业。 陶瓷激光打标机以上龙门激光打标机提供。