1. 高温真空炉（2000度左右）和大型气相沉积炉大约价值是多少
大型气相沉积炉一台规格大约为5米高，2-3米的直径 150-220
温真空炉温度在2000度左右，高3米，宽3米左右 要看有求450--1500
2. 热化学的气相沉积
热化学气相沉积是指采用衬底表面热催化方式进行的化学气相沉积。该方法沉积温度较高，一般在800℃~1200℃左右，这样的高温使衬底的选择受到很大限制，但它是化学气相沉积的经典方法。
3. 一台2000℃高温炉需要多少钱
大型气相沉积炉一台规格大约为5米高，2-3米的直径 150-220
温真空炉温度在2000度左右，高3米，宽3米左右 要看有求450--1500
4. 为什么复分解反应需要生成物中有水，气体或者沉淀才能进行 【请用初中的知识解释】拜托各位大神
化学复分解反应实质是离子之间的反应 水气体和沉淀是弱电解质或不易分解只有形成这些物质才能说明反应的进行 如果没有生成这些物质 那反应就会和没进行一样 如NacI与Ba(oH)2反应表面看似乎能生成NaoH和BacI2但仔细想想还会再生成NacI和Ba(oH)2 就是这个道理 对于初中是不需要掌握这些的 仅供了解
5. 有谁在做化学气相沉积
化学气相沉积过程中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好
6. 何为化学气相沉积（CVD）炉
化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。
原理
化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上阐述化学反应并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：
（1）形成挥发性物质 ；
（2）把上述物质转移至沉积区域 ；
（3）在固体上产生化学反应并产生固态物质 。
最基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。 [1]
特点
1）在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2）可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好）。
3）采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5）可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6）绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。
8）可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
7. CVD（化学气相沉积）镀膜，如为宝石镀膜，国内有这样的厂家做吗
我们公司有CVD镀膜 不过是在玻璃上镀的。。
8. 想进口PECVD气相沉积设备报关怎么处理
PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。由于PECVD方法的主要应用领域是一些绝缘介质薄膜的低温沉积，因而PECVD技术中等离子体的产生也多借助于射频的方法。本实验室使用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD），射频电源采用电容耦合方式，射频频率为27.12MHz。
9. LPCVD低压化学气相沉积系统
这是一种直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成电路中所用多晶硅薄膜的制备中普遍采用的标准方法，具有生长速度快，成膜致密、均匀，装片容量大等特点。多晶硅薄膜可采用硅烷气体通过LPCVD法直接沉积在衬底上，典型的沉积参数是：硅烷压力为13.3～26.6Pa，沉积温度Td=580～630℃，生长速率5～10nm/min。由于沉积温度较高，如普通玻璃的软化温度处于500～600℃，则不能采用廉价的普通玻璃而必须使用昂贵的石英作衬底。 LPCVD法生长的多晶硅薄膜，晶粒具有<110>择优取向，形貌呈“V”字形，内含高密度的微挛晶缺陷，且晶粒尺寸小，载流子迁移率不够大而使其在器件应用方面受到一定限制。虽然减少硅烷压力有助于增大晶粒尺寸，但往往伴随着表面粗糙度的增加，对载流子的迁移率与器件的电学稳定性产生不利影响