㈠ 陶瓷激光切割機的簡介
陶瓷激光切割機一般用於瓷器類的雕刻、切割加工。
激光切割陶瓷由於具有非接觸、柔性化、自動化及可實現精密切割和曲線切割、切縫窄、速度快等特點，同傳統的切割方法如金剛石砂輪切割法相比，是一種有巨大應用價值和發展潛力的理想陶瓷加工方法。但是，陶瓷屬硬、脆材料，熱穩定性較差，切割時易形成重鑄層和裂紋，降低了基體原有的優良性能。
現有的陶瓷無裂紋切割方法基本上採用(CO2或Nd:YAG)激光，在單脈沖能量不變的前提下，壓縮脈寬至ns級，脈沖頻率提高至10～20KHz級。其顯著缺點是設備能力要求高，往往要求多道重復切割或預加工，實用切割效率低,隨著切割速度的增加，熔渣從平面形態向有方向性的波紋形態轉變；低速到高速切割時單個脈沖的疊加程度的降低，使熔渣從平面狀態轉變成為斷續狀態。切斷方式也從氣化和融化轉化為附加部分熱振而引起的斷裂，部分熱振引起的斷裂。當切割速度相同時，復合高速氣流斷口的熔渣方向性更明顯。同時高速氣流具有比同軸氣流更明顯的去除渣層作用，促進了熔渣脫落，熔渣脫落後，亞層呈現的重鑄層形貌,由於熱振在切口深度方向形成的重鑄層是一致的。
㈡ 陶瓷激光切割機的注意事項：
高速氣流體現了對激光與陶瓷相互作用區一定的冷卻作用，使激光與陶瓷互相作用產生的熱量向基體內部的傳導深度降低，從而使由於受熱融化快速冷卻而產生的重鑄層厚度下降。當切割速度增大到一定值時，脈沖疊加程度下降，單位長度熱作用時間降低，甚至部分依靠熱振促成基體斷裂；脈沖休止時間內，激光割嘴運動距離超過光斑直徑，脈沖激光疊加作用消失，單個脈沖單獨作用時，其溫度梯度大，熱傳導時間短，從而使高速氣流的冷卻作用變得不明顯。
在脈寬為0.3ms,復合作用超音速切割氣流的前提下，平均功率是影響重鑄層厚度的最主要因素，切割速度次之，脈沖頻率再次。平均功率是決定單脈沖峰值能量的關鍵因素，峰值能量又是決定溫度梯度即熱傳導深度的關鍵因素；脈沖頻率的增加可以提高脈沖搭接程度，但並不一定引起熱量累積和向切口兩側傳導的當量增加；切割速度的提高本質上在於降低脈沖重疊導致的熱量累積，直至達到單個脈沖所能切斷的陶瓷厚度。所以選定合適平均功率，輔以切割速度及脈沖頻率的匹配是獲得較小重鑄層厚度的先決條件。
㈢ 陶瓷激光打標機的常見問題
1,激光打標機使用一段時間以後，激光器激光輸出功率下降的原因：
① 激光諧振腔是否變化：微調諧振腔鏡片，使輸出光斑最好；
② 全反及輸出膜片是否有污損現象；
③ 聲光晶體偏移或者聲光電源輸出能量偏低：調整聲光晶體位置；
④ 冷卻水箱水溫設置與環境溫度溫差是否超過5℃；
⑤ 氪燈使用壽命是否到期；
⑥ 進入振鏡的激光偏離中心：調節激光器；
⑦ 若電流調到20A左右仍感光強不夠：氪燈老化，更換新燈。
2,激光打標機激光輸出功率正常，但激光光束不能起到標刻作用：
① 光路系統調整是否准確；
② 聲光開關是否能夠起到開關作用；
③ D/A卡控制聲光輸出信號是否達到5V。
3 激光打標機聲光開關不能起到開關激光作用的原因：
① 聲光電源射頻輸出功率是否正常；
② 電源各開關是否都在正確位置；
③ 射頻線連接是否可靠；
④ Q開關通光端面有無污損現象。
㈣ 激光切割機可以切割陶瓷嗎
可以的，有專門切割陶瓷的 陶瓷激光切割機
陶瓷激光切割機一般用於瓷器類的雕刻、切割加工。具有非接觸、柔性化、自動化及可實現精密切割和曲線切割、切縫窄、速度快等特點，同傳統的切割方法如金剛石砂輪切割法相比，是一種有巨大應用價值和發展潛力的理想陶瓷加工方法。
陶瓷激光切割的多道切割法
多道切割法即採用激光多次掃描同一切割軌跡而達到去除材料的目的。一般先以較低功率激光多次掃描同一加工路徑，以不斷推進加工深度，至一定厚度後，轉而以
高功率激光完成切割。該方法工藝最為簡單，但可靠性差。優點在於每道切割時單位長度輸入的能量小，可以降低熱載荷，抑制裂紋產生與擴展。但是此法在提出之
際就已被明確指出這是一種犧牲加工時間和效率的切割方法，用該方法切割8.5mm的氧化鋁陶瓷需要60或100次激光的重復掃描「走刀」實驗發現激光掃描所產生的熔渣很難及時排除，往往因嚴重堆積造成切縫堵塞及殘余熱作用霍加。因此，該方法更適用於以氣化切割機制為主的陶瓷。採用調Q的CO2激光及納秒級脈寬抑制裂紋，以氣化多道切割方式對Si3N4陶瓷進行無損切割研究，可以將微裂紋尺寸控制在晶粒尺寸的范圍。
陶瓷激光切割機 -注意事項：
高速氣流體現了對激光與陶瓷相互作用區一定的冷卻作用，使激光與陶瓷互相作用產生的熱量向基體內部的傳導深度降低，從而使由於受熱融化快速冷卻而產生的
重鑄層厚度下降。當切割速度增大到一定值時，脈沖疊加程度下降，單位長度熱作用時間降低，甚至部分依靠熱振促成基體斷裂；脈沖休止時間內，激光割嘴運動距
離超過光斑直徑，脈沖激光疊加作用消失，單個脈沖單獨作用時，其溫度梯度大，熱傳導時間短，從而使高速氣流的冷卻作用變得不明顯。在脈寬為0.3ms,復合作用超音速切割氣流的前提下，平均功率是影響重鑄層厚度的最主要因素，切割速度次之，脈沖頻率再次。平均功率是決定單脈沖峰值能
量的關鍵因素，峰值能量又是決定溫度梯度即熱傳導深度的關鍵因素；脈沖頻率的增加可以提高脈沖搭接程度，但並不一定引起熱量累積和向切口兩側傳導的當量增
加；切割速度的提高本質上在於降低脈沖重疊導致的熱量累積，直至達到單個脈沖所能切斷的陶瓷厚度。所以選定合適平均功率，輔以切割速度及脈沖頻率的匹配是
獲得較小重鑄層厚度的先決條件。
其他建議：二氧化碳的切割面好些，YAG的切割面光潔度不夠好
㈤ 陶瓷電容器有哪些優勢
陶瓷電容器就是用陶瓷作為電介質，在陶瓷基體兩面噴塗銀層，然後經低溫燒成銀質薄膜作極板而製成
它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀
瓷谷電子的陶瓷電容一般都是圓形的藍色本體，也有土黃色的讓大家選擇，另外我們還可以為顧客提供編帶的陶瓷電容器，想更深入的了解，可以咨詢我們網站上的客服
陶瓷電容分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種，具有小的正電容溫度系數的電容器，用於高穩定震盪迴路中，作為迴路電容器及整電容器
一般陶瓷電容器和其他電容器相比,具有使用溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質損耗較小，電容溫度系數可在大范圍內選擇等優點
高壓陶瓷電容近年來也受到人們的關注和重視，已經潛入到我們的生活里去，也成為市場上不可缺少的電子元器件
我們最常用的LED燈裡面是一定有陶瓷電容的位置的
因為LED燈在開啟過程中，接受到的是電壓會有一個瞬間的脈沖電壓，此時會有大電流產生，而一但電流泄漏過多的話，就有可能對人體造成傷害，一般而言，打高壓是為了防止大流的產生時給產品造成的損害，另外一方面，也是為了檢驗產品的絕緣性能，驗證絕緣性能有沒有有效的發揮，燈具的防觸電保護有沒有正常工作，避免人體在接觸時產生意外
所以高壓陶瓷電容在LED燈行業已有廣泛的應用和不輕的地位
選擇瓷谷電子陶瓷電容的三大優勢：1.進口設備高介電瓷粉進口設備壓鑄成型1000多度30多小時高溫燒結而成附著高性能電離子銀層
2.預熱焊點多段波型高溫預熱點焊惠普的自動影像監測杜絕假焊.空焊.吃銀3.100%全檢智能機械精密質檢每顆產品性能100%全檢符合國際認證測試
㈥ 陶瓷紫外激光打標機廠家那個牌子好又穩定
陶瓷激光打標機加工可用紫外激光切割機，光束質量高，聚焦光斑小，能實現超精細標刻，高速度，適用范圍廣，低能耗，環保，無耗材，
㈦ 陶瓷激光打標機價格一般是多少
陶瓷激光打標的話通常用光纖激光打標機來打就可以了。
價格的話，開國產或者進口的都不一樣的。國產會便宜一些。主要看你要打標打到什麼需求。
㈧ 貼片電容都沒有極性嗎，貼片電容就只是單片陶瓷電容器嗎
有極性也有非極性
貼片電容(單片陶瓷電容器)
是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規格，不同的規格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對於上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產品請參照該公司的產品手冊。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由於填充介質不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一 NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小於±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯後小於±0.05%，相對大於±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小於±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO電容器適合用於振盪器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
二 X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應用於要求不高的工業應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
封 裝 DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF
1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF
1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
三 Z5U電容器
Z5U電容器稱為」通用」陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對於Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對於上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩定，由於它具有小體積、等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF
1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
Z5U電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 10℃ --- 85℃
溫度特性 22% ---- -56%
介質損耗 最大 4%
四 Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達 22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下製造出高達4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封 裝 DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF
1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF
1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF
2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF
Y5V電容器的其他技術指標如下:
工作溫度范圍 -30℃ --- 85℃
溫度特性 22% ---- -82%
介質損耗 最大 5%
貼片電容器命名方法可到AVX網站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同
㈨ 如何理解貼片陶瓷電容器的Q值 和ESR:
本公司除了提供性能卓越的射頻RF 元器件外，還致力於為客戶提供精確和完整的性3 y) i" F! z; B能資料。為了達到這個目標，這篇文章裏我們詳細的討論Q和ESR的測量方法和理解。2 _3 P9 K1 N+ P$ @$ M7 I理論上，一個「完美」的電容器應該表現為ESR為零歐姆、純容抗性的無阻抗元件。不論$ H$ ~3 d6 d* l6 m/ B/ p何種頻率，電流通過電容時都會比電壓提前正好90度的相位。* d p& Z7 P, \" @) v8 m實際上，電容是不完美的，會或多或少存在一定值的ESR。一個特定電容的ESR隨著頻率# i% ]: R* z. w8 x的變化而變化，並且是有等式關系的。這是由於ESR的來源是導電電極結構的特性和絕緣介質1 F" E2 Y# y% }的結構特性。為了模型化分析，把ESR當成單個的串聯寄生元。過去，所有的電容參數都是在2 @4 u5 G( b4 ^0 V% r- T1MHz的標准頻率下測得，但當今是一個更高頻的世界，1MHz的條件是遠遠不夠的。一個性能/ y; V9 \) b; d" D/ u優秀的高頻電容給出的典型參數值應該為：200MHz ，ESR＝0.04Ω；900MHz， ESR＝0.10Ω；! d" r- e" [3 e) p" J$ d2000MHz，ESR＝0.13Ω。& n, m" v) s, [, N$ Q- w8 w: |Q值是一個無量綱數，數值上等於電容的電抗除以寄生電阻（ESR）。Q 值隨頻率變化而有5 H3 p) T- ^" Q3 W; r很大的變化，這是由於電抗和電阻都隨著頻率而變。頻率或者容量的改變會使電抗有著非常大& f" p$ `0 y# }2 H" B# I% E5 ^9 y的變化，因此Q值也會跟著發生很大的變化。從公式一和二上可以體現出來：3 e3 N/ @, q+ w6 R公式一：|Z| = 1 / ( 2πf C)/ S6 n. _1 p: ]# @2 W7 g5 W其中，|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；f為頻率，單位Hz；C為容量，單位元F。! A+ n8 {4 r$ m3 R公式二：Q = |Z| / ESR9 Y2 f2 E0 O" S% }2 k4 r; T, D其中，Q代表「品質因素」，無量綱；|Z|為電抗的絕對值，單位Ω；ESR為等效串聯電阻， L! _4 ~5 K7 R3 e% A; R單位Ω。+ X( @4 X/ ]& G! o$ E% u3 q用從向量網路分析器收集而得的S參數去推導ESR是不可信的。主要原因是這個資料的精3 [. t6 z. {8 `# ]度受限於網路分析器在50Ω系統中的精度（典型的± 0.05 dB測量精度在電容低到±0.01 dB. {8 F# T3 l0 C低損耗區是精度不足的）。同樣，用LCR儀表去測量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。這是- R8 ]; s. E. p# R8 p( C! I由於當元件的Q 值非常高時，LCR 儀表不能正確地分辨出非常小的電阻（R）和非常大的電抗; L& a" s! @+ C（Z）。因此，高Q電容器的ESR和Q的測量方法，一般使用作為行業標準的諧振線路測試法。2 i0 l" v+ i9 ^; U" @ J2 |這種測試方法作為在射頻RF上測量Q和ESR 的行業標准而長期存在。因為該方法依賴於. N8 |/ Q" o* }, j% r信號發生器的頻率精確度（該頻率可以非常精確的測量），所以該資料的采樣方式是十分精確& U% `, D0 L j1 ^的。現代的電容ESR非常之小，以至於這個測量方法的精度也只能達到接近±10%。但不管如% u+ k& S8 q4 t4 Z* E8 X; r9 O e何，這仍然是目前最精確的在射頻RF方面有效測量Q和ESR的方法。0 v" Q0 Y6 \8 X7 j, J( S+ y" E測試方式：8 t- ?: o/ f$ w" [ 頻率發生器 電腦 毫伏表" Y* W) E. j( [: m9 v2 j" Y 同軸諧振器2 T6 x2 z) T) L9 Y F$ t$ I5 W! L- w2 Q5 s4 K如何理解貼片陶瓷電容器的介質強度8 h. J/ v: V# ]$ \7 { 介質強度表徵的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力，通常用伏特/密爾( p1 Y* u Q" Z. T3 g/ F0 l. i# F（V/mil）或伏特/釐米（V/cm）表示。" M. O- ` x, w! ]5 r當外電場強度達到某一臨界值時，材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛並出現場( S2 l! s G. J, P" H致電子發射，產生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應，進而導致突發擊穿電流擊穿介6 A$ o. r" Z9 f! t6 S C7 y# m質，使其失效。除此之外，介質失效還有另一種模式，高壓負荷下產生的熱量會使介質材料的+ z7 J1 ~/ A& Y0 P0 O5 J8 Z; o電阻率降低到某一程度，如果在這個程度上延續足夠長的時間，將會在介質最薄弱的部位上產2 O: G* E4 c2 Z3 a. i1 C: B生漏電流。這種模式與溫度密切相關，介質強度隨溫度提高而下降。
㈩ 怎麼在陶瓷上快速打標陶瓷激光打標機
激光打標機核心部件全部為原裝進口，如CO2射頻激光器、高速掃描振鏡、功能強大的控制打標軟體等。該系列雕刻精度高、速度快、性能極其穩定，能夠長時間連續工作。 打標機軟體運行於WINDOWS平台，中文界面，能兼容AUTOCAD、CORELDRAW、PHOTOSHOP等多種軟體的文件格式，如PLT、PCW、DXF、BMP等，同時也能直接使用SHX、TTF字型檔。 該設備為30W激光打標機，非常適合在一些產品打標，而且速度快，操作簡單，性價比高。 該系列打標機能夠在絕大多數非金屬材料上高速雕刻、切割出精美的文字圖案，廣泛應用於眼鏡、紐扣、電池、皮革、布料、陶瓷、玻璃、水晶、橡膠、電器、木竹製品等行業。 陶瓷激光打標機以上龍門激光打標機提供。