1. 高溫真空爐（2000度左右）和大型氣相沉積爐大約價值是多少
大型氣相沉積爐一台規格大約為5米高，2-3米的直徑 150-220
溫真空爐溫度在2000度左右，高3米，寬3米左右 要看有求450--1500
2. 熱化學的氣相沉積
熱化學氣相沉積是指採用襯底表面熱催化方式進行的化學氣相沉積。該方法沉積溫度較高，一般在800℃~1200℃左右，這樣的高溫使襯底的選擇受到很大限制，但它是化學氣相沉積的經典方法。
3. 一台2000℃高溫爐需要多少錢
大型氣相沉積爐一台規格大約為5米高，2-3米的直徑 150-220
溫真空爐溫度在2000度左右，高3米，寬3米左右 要看有求450--1500
4. 為什麼復分解反應需要生成物中有水，氣體或者沉澱才能進行 【請用初中的知識解釋】拜託各位大神
化學復分解反應實質是離子之間的反應 水氣體和沉澱是弱電解質或不易分解只有形成這些物質才能說明反應的進行 如果沒有生成這些物質 那反應就會和沒進行一樣 如NacI與Ba(oH)2反應表面看似乎能生成NaoH和BacI2但仔細想想還會再生成NacI和Ba(oH)2 就是這個道理 對於初中是不需要掌握這些的 僅供了解
5. 有誰在做化學氣相沉積
化學氣相沉積過程中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態有改變。物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻緻密，與基體的結合力強。缺點膜一基結合力弱,鍍膜不耐磨, 並有方 向性化學雜質難以去除。優點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求製造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好
6. 何為化學氣相沉積（CVD）爐
化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。
原理
化學氣相沉積技術是應用氣態物質在固體上闡述化學反應並產生固態沉積物的一種工藝，它大致包含三步：
（1）形成揮發性物質 ；
（2）把上述物質轉移至沉積區域 ；
（3）在固體上產生化學反應並產生固態物質 。
最基本的化學氣相沉積反應包括熱分解反應、化學合成反應以及化學傳輸反應等集中。 [1]
特點
1）在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2）可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。
3）採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4）塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5）可以控制塗層的密度和塗層純度。
6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。
7. CVD（化學氣相沉積）鍍膜，如為寶石鍍膜，國內有這樣的廠家做嗎
我們公司有CVD鍍膜 不過是在玻璃上鍍的。。
8. 想進口PECVD氣相沉積設備報關怎麼處理
PECVD方法區別於其它CVD方法的特點在於等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的CVD過程得以在低溫實現。由於PECVD方法的主要應用領域是一些絕緣介質薄膜的低溫沉積，因而PECVD技術中等離子體的產生也多藉助於射頻的方法。本實驗室使用射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PECVD），射頻電源採用電容耦合方式，射頻頻率為27.12MHz。
9. LPCVD低壓化學氣相沉積系統
這是一種直接生成多晶硅的方法。LPCVD是集成電路中所用多晶硅薄膜的制備中普遍採用的標准方法，具有生長速度快，成膜緻密、均勻，裝片容量大等特點。多晶硅薄膜可採用硅烷氣體通過LPCVD法直接沉積在襯底上，典型的沉積參數是：硅烷壓力為13.3～26.6Pa，沉積溫度Td=580～630℃，生長速率5～10nm/min。由於沉積溫度較高，如普通玻璃的軟化溫度處於500～600℃，則不能採用廉價的普通玻璃而必須使用昂貴的石英作襯底。 LPCVD法生長的多晶硅薄膜，晶粒具有<110>擇優取向，形貌呈「V」字形，內含高密度的微攣晶缺陷，且晶粒尺寸小，載流子遷移率不夠大而使其在器件應用方面受到一定限制。雖然減少硅烷壓力有助於增大晶粒尺寸，但往往伴隨著表面粗糙度的增加，對載流子的遷移率與器件的電學穩定性產生不利影響